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15：00
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開会挨拶
教授 眞田 幸俊（電子工学科／総合デザイン工学専攻）
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15:10〜15:40
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講演「窒化物半導体GaNのエピタキシャル成長とデバイス応用」
教授 松本 智 （電子工学科／総合デザイン工学専攻）
窒化物半導体GaNは青色ＬＥＤ用材料として実用化されているが、高周波・高出力デバイス用材料としても高いポテンシャルを持っている。
鍵となるのは、結晶構造を制御した高品質GaN結晶の作製である。現在、サファイア基板上に成長させたウルツ鉱型GaNが用いられているが、紫外レーザー用には立方晶(c-)型GaNが適している。ここでは、よりデバイス作製に適しているSi基板上へのc-GaNの成長についての研究を紹介する。また、デバイス作製の要素技術であるイオン注入による伝導性制御とデバイス応用についても言及する。
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15:40〜16:10
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講演「半導体量子ドットの基礎と量子光エレクトロニクスへの応用」
准教授 早瀬 潤子 （物理情報工学科／基礎理工学専攻）
量子ドットとは、数十ナノメートル（1億分の1メートル）の微小な粒に加工した半導体ナノ材料であり、固体でありながら原子のように振る舞うことから、人工原子とも呼ばれている。量子ドットは、通常のバルク半導体とは異なる様々な特長をもつことから、次世代の光デバイスや量子力学的性質を利用した量子情報デバイスへの応用が期待されている。本講演では、量子ドットの光学的・量子力学的性質の基礎と量子光エレクトロニクスへの応用について紹介する。
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16:10〜16:20
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休憩
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16:20〜16:50
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講演「半導体ナノ構造でスピンを操作する：スピントロニクスの基礎」
教授 江藤 幹雄 （物理学科／基礎理工学専攻）
半導体スピントロニクスは、電子のスピンを利用した新しいエレクトロニクスです。従来のデバイスに比べて、メモリーの大容量化や省エネ化が期待されます。半導体ヘテロ構造に電場を加えると、電子にスピン軌道相互作用がはたらきます。それは電子の運動とともにスピンが回転する効果です。スピン軌道相互作用を利用したスピントランジスター、量子ドットを用いたスピン注入デバイス等、スピンを人工的に制御するスピントロニクスの基礎研究についてお話しします。
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16:50〜17:20
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講演「新しい磁気機能の探求
−外的手法による磁気機能の制御を中心として−」
教授 佐藤 徹哉 （物理情報工学科／総合デザイン工学専攻）
これまで磁気応用で用いられる物質は既存の強磁性体に制限されていたが、一部の非磁性金属のナノ粒子が安定な強磁性を示すことが示されて以来、磁気的利用が可能な物質の範囲が広がりつつある。一方、外場（特に電場）により非磁性金属を強磁性に変換することが可能であると予測され、これは磁気応用分野で有用な技術となる。本講演では、電場を用いて金属の非磁性/強磁性変換を実現する手法、および相互作用が強い金属強磁性ナノ粒子集合体で超強磁性発現を実現する手法について概説する。
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17:20
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関連情報のお知らせ・閉会挨拶
教授 眞田 幸俊
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17:30〜 18:00
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懇親・意見交換会（参加費無料）
セミナー終了後、本会場にてソフトドリンク等をご用意いたします。
ご参加の皆様と、講演者など大学側との懇親、あるいは具体的な意見交換の場として、是非ご参加下さい。
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